高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008032921
Publication number (International publication number)：2009191151
Application date： Feb. 14, 2008
Publication date： Aug. 27, 2009
Summary：

【解決手段】側鎖のヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護されたモノマー(1)又は(2)と酸不安定基を有するモノマー(3)の共重合により得られる高分子化合物(A)を液浸リソグラフィー用フォトレジスト用の添加剤材料として用いる。【効果】高分子化合物(A)を用いたレジスト材料は液浸リソグラフィーにおける撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少ない良好なリソグラフィー性能を実現することができる。【選択図】なし

Claim 1：

(A)下記一般式(1)〜(3)で表される繰り返し単位から構成されることを特徴とする重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。

IPC (7)：

C08F 220/26 , G03F 7/039 , G03F 7/004 , G03F 7/38 , G03F 7/11 , G03F 7/023 , H01L 21/027

FI (7)：

C08F220/26 , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , G03F7/38 501 , G03F7/11 501 , G03F7/023 , H01L21/30 502R

F-Term (44)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025CB14 , 2H025CC20 , 2H025DA02 , 2H025FA01 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA04 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 4J100AL03R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC03R , 4J100BC04Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA39 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (14)

特開昭62-62520号公報
特開昭62-62521号公報
特開昭60-38821号公報

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Cited by examiner (7)

液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-006013 Applicant：東京応化工業株式会社
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-001659 Applicant：株式会社東芝
フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-128938 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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