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J-GLOBAL ID:200903002032072460
高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008032921
Publication number (International publication number):2009191151
Application date: Feb. 14, 2008
Publication date: Aug. 27, 2009
Summary:
【解決手段】側鎖のヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護されたモノマー(1)又は(2)と酸不安定基を有するモノマー(3)の共重合により得られる高分子化合物(A)を液浸リソグラフィー用フォトレジスト用の添加剤材料として用いる。【効果】高分子化合物(A)を用いたレジスト材料は液浸リソグラフィーにおける撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少ない良好なリソグラフィー性能を実現することができる。【選択図】なし
Claim 1:
(A)下記一般式(1)〜(3)で表される繰り返し単位から構成されることを特徴とする重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。
IPC (7):
C08F 220/26
, G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/38
, G03F 7/11
, G03F 7/023
, H01L 21/027
FI (7):
C08F220/26
, G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, G03F7/38 501
, G03F7/11 501
, G03F7/023
, H01L21/30 502R
F-Term (44):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BF11
, 2H025CB14
, 2H025CC20
, 2H025DA02
, 2H025FA01
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096DA04
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096EA23
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096JA02
, 4J100AL03R
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100BA02P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03P
, 4J100BA03Q
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BC03R
, 4J100BC04Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100DA39
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (14)
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特開昭62-62520号公報
-
特開昭62-62521号公報
-
特開昭60-38821号公報
-
反射防止膜材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-088202
Applicant:信越化学工業株式会社
-
特許第2803549号公報
-
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-196529
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-210657
Applicant:信越化学工業株式会社
-
パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-001659
Applicant:株式会社東芝
-
フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-128938
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
-
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-249040
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
マスクブランク、及びマスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-105985
Applicant:HOYA株式会社
-
液浸上層膜用重合体および液浸用上層膜形成組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-163537
Applicant:JSR株式会社
-
液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-006013
Applicant:東京応化工業株式会社
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フッ素アルコール化合物の製造方法、含フッ素単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-022319
Applicant:信越化学工業株式会社
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Cited by examiner (7)
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液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-006013
Applicant:東京応化工業株式会社
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パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-001659
Applicant:株式会社東芝
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フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-128938
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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