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J-GLOBAL ID:200903002032072460

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008032921
Publication number (International publication number):2009191151
Application date: Feb. 14, 2008
Publication date: Aug. 27, 2009
Summary:
【解決手段】側鎖のヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護されたモノマー(1)又は(2)と酸不安定基を有するモノマー(3)の共重合により得られる高分子化合物(A)を液浸リソグラフィー用フォトレジスト用の添加剤材料として用いる。【効果】高分子化合物(A)を用いたレジスト材料は液浸リソグラフィーにおける撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少ない良好なリソグラフィー性能を実現することができる。【選択図】なし
Claim 1:
(A)下記一般式(1)〜(3)で表される繰り返し単位から構成されることを特徴とする重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。
IPC (7):
C08F 220/26 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/023 ,  H01L 21/027
FI (7):
C08F220/26 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/38 501 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/023 ,  H01L21/30 502R
F-Term (44):
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF11 ,  2H025CB14 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC04Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (14)
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