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J-GLOBAL ID：200903002034161842

p型半導体、p型半導体の製造方法、半導体装置、光起電力素子、半導体装置の製造方法

Inventor： 渡辺 隆行 ,  山本 哲也 ,  吉田 博
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997219503
Publication number (International publication number)：1999060399
Application date： Aug. 14, 1997
Publication date： Mar. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】Ib-IIIb-VIb2 族化合物半導体(特に、CuInS2 )を母材としたp型半導体において、キャリア濃度が高く、製造上および性能の点で有利なものを得る。【解決手段】CuInS2 にP(p型不純物)とSn(n型不純物)の両方を添加して、p型CuInS2 を形成する。このp型半導体のキャリア濃度は5×1017(cm-3)であり、PとともにInを添加した場合の値(5×1016(cm-3))、Pのみを添加した場合の値(3×1015(cm-3))と比較して大きい。PとSnを含むCuInS2 層をp型半導体層3とし、ガラス基板2、Mo電極1、p型半導体層3、CdS層(n型半導体層)4、ITO電極5からなる層構造の薄膜太陽電池を作製する。この太陽電池の変換効率は12%と高い値であった。

Claim (excerpt)：

Ib-IIIb-VIb2 族化合物半導体に、IIa族元素および/またはVb族元素からなるp型不純物と、IVb族元素および/またはVIIb族元素からなるn型不純物とを含有していることを特徴とするp型半導体。

IPC (5)：

C30B 31/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/02

FI (5)：

C30B 31/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 31/04 E