Pat

J-GLOBAL ID：200903002035544346

フェライト材料

Inventor： 福地 英一郎 ,  高川 建弥 ,  村瀬 琢
Applicant, Patent owner： TDK株式会社
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003195398
Publication number (International publication number)：2005029417
Application date： Jul. 10, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】100°C近傍の高温域における飽和磁束密度が高く、かつ損失が低いフェライト材料を提供する。【解決手段】Fe2O3:62〜68mol%、ZnO:12〜20mol%、NiO:5mol%以下(但し、0を含まず)、LiO0.5:4mol%未満(但し、0を含まず)、残部実質的にMnOを主成分とする焼結体とする。このように、所定量のNiおよびLiをともに含有させることにより、高温域における飽和磁束密度が向上する。この焼結体によれば、100°Cにおける飽和磁束密度が480mT以上(測定磁界:1194A/m)、コア損失の最小値が1300kW/m3以下(測定条件:100kHz、200mT)、コア損失が最小値を示す温度であるボトム温度が60〜130°Cという特性を得ることができる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

Fe2O3:62〜68mol%、ZnO:12〜20mol%、NiO:5mol%以下(但し、0を含まず)、LiO0.5:4mol%未満(但し、0を含まず)、残部実質的にMnOを主成分とする焼結体からなることを特徴とするフェライト材料。

IPC (4)：

C04B35/38 ,  C01G49/00 ,  C01G53/00 ,  H01F1/34

FI (4)：

C04B35/38 A ,  C01G49/00 B ,  C01G53/00 A ,  H01F1/34 B

F-Term (39)：

4G002AA06 ,  4G002AA07 ,  4G002AA08 ,  4G002AA12 ,  4G002AB02 ,  4G002AE02 ,  4G018AA02 ,  4G018AA04 ,  4G018AA08 ,  4G018AA15 ,  4G018AA16 ,  4G018AA17 ,  4G018AA18 ,  4G018AA19 ,  4G018AA21 ,  4G018AA23 ,  4G018AA25 ,  4G018AA29 ,  4G018AA30 ,  4G018AA31 ,  4G018AA32 ,  4G018AA33 ,  4G018AA35 ,  4G018AA36 ,  4G018AA37 ,  4G018AB08 ,  4G018AC02 ,  4G018AC14 ,  4G018AC16 ,  4G048AA04 ,  4G048AB02 ,  4G048AC03 ,  4G048AD03 ,  4G048AE05 ,  5E041AB02 ,  5E041BD01 ,  5E041NN02 ,  5E041NN13 ,  5E041NN15