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J-GLOBAL ID：200903002037764947

磁気抵抗素子及び磁性メモリー及びそれらの製造方法

Inventor：
安部 俊郎

About 安部 俊郎


Applicant, Patent owner：
日本ビクター株式会社

About 日本ビクター株式会社


Agent (1)： 二瓶 正敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998367637
Publication number (International publication number)：2000196164
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 グラニュラー薄膜を用いた磁気抵抗素子及び磁性メモリーにおいて、外部磁界に対して十分な磁気抵抗変化を発現させることは困難であった。【解決手段】 SiO2マトリックス31中に、Fe-Co合金微粒子32が分散されたグラニュラー薄膜3を磁気抵抗素子に用いる。さらに、このグラニュラー薄膜よりなる単層の情報記録層を有する磁性メモリーとする。また、このグラニュラー薄膜を成膜する工程において、非磁性基板1に高周波バイアスを印加するとともに、基板の加熱温度を調整して所要の特性を発現させる。
Claim (excerpt)：
SiO2マトリックス中に、Fe-Co合金微粒子が分散されたグラニュラー薄膜を用い、外部磁界がゼロの時に最大抵抗値を示す磁気抵抗素子。
IPC (5)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12
FI (5)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 A ,  H01L 43/12
F-Term (9)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049GC04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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