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J-GLOBAL ID：200903002045432619

半導体装置

Inventor：
中村 和敏

About 中村 和敏


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007129063
Publication number (International publication number)：2008289215
Application date： May. 15, 2007
Publication date： Nov. 27, 2008
Summary：
【課題】スイッチング損失を低減させ、スイッチング時に電流の集中やラッチアップを抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】入力電圧の端子とインダクタとの間に接続された複数のスイッチング素子と、スイッチング素子のゲート電極に接続され、スイッチング素子を駆動するドライバ回路と、スイッチング素子のソース電極に接続された基準電圧ラインと、ドライバ回路の電源ラインと、電源ラインと基準電圧ラインとの間に接続されたコンデンサとを同じ半導体基板に備えた。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
入力電圧の端子とインダクタとの間に接続された複数のスイッチング素子と、 前記スイッチング素子のゲート電極に接続され、前記スイッチング素子を駆動するドライバ回路と、 前記スイッチング素子のソース電極に接続された基準電圧ラインと、 前記ドライバ回路の電源ラインと、 前記電源ラインと前記基準電圧ラインとの間に接続されたコンデンサと、 を同じ半導体基板に備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H02M 3/155 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (4)：
H02M3/155 T ,  H01L27/04 C ,  H01L27/04 F ,  H02M3/155 Y
F-Term (19)：
5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038BH18 ,  5F038CA02 ,  5F038CA07 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038CD12 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ20 ,  5H730AA14 ,  5H730AS01 ,  5H730AS05 ,  5H730BB13 ,  5H730DD04 ,  5H730EE13 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)
  • DC-DCコンバータ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-157877   Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
  • 電力用半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-167561   Applicant：株式会社日立製作所

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