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J-GLOBAL ID：200903002058010640

強誘電体薄膜の評価方法

Inventor： 吉田 親子
Applicant, Patent owner： 科学技術庁長官官房会計課長
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999342797
Publication number (International publication number)：2001160575
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体薄膜の評価方法に関し、強誘電体薄膜の膜厚変化の電圧依存性を高い精度で自動的に測定するとともに、電圧依存性をもたらす要因を解析する。【解決手段】 原子間力顕微鏡を用いて導電性針2によって強誘電体薄膜1を有する試料3にパルス電圧VB を印加し、強誘電体薄膜1の膜厚変化分を測定する際に、パルス電圧VB の振幅を電圧印加手段によって変化させるとともに、検出出力をロックインアンプ4を通して測定する。

Claim (excerpt)：

原子間力顕微鏡を用いて導電性針によって強誘電体薄膜を有する試料にパルス電圧を印加し、前記強誘電体薄膜の膜厚変化分を測定する強誘電体薄膜の評価方法において、前記パルス電圧の振幅を電圧印加手段によって変化させるとともに、検出出力をロックインアンプを通して測定することを特徴とする強誘電体薄膜の評価方法。

IPC (8)：

H01L 21/66 ,  G01B 21/08 ,  G01B 21/30 ,  G01N 13/10 ,  G01N 13/16 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7)：

H01L 21/66 L ,  G01B 21/08 ,  G01B 21/30 Z ,  G01N 13/10 G ,  G01N 13/16 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

F-Term (24)：

2F069AA46 ,  2F069AA60 ,  2F069BB40 ,  2F069DD16 ,  2F069DD30 ,  2F069GG01 ,  2F069GG07 ,  2F069GG62 ,  2F069HH05 ,  2F069JJ12 ,  2F069LL03 ,  2F069NN00 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB08 ,  4M106AB20 ,  4M106BA14 ,  4M106BA20 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  5F083FR01 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083ZA20