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J-GLOBAL ID:200903002060543320
表面処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤島 洋一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000208416
Publication number (International publication number):2002025496
Application date: Jul. 10, 2000
Publication date: Jan. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 表面処理の対象物に塵が付着することを防止して精密に表面処理を施すことが可能な表面処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマイオン注入法により被処理物2にイオン注入を行うのに、被処理物2を電極体5の前面とは一定の間隔をあけて真空容器3内に取り付ける。電極体5の前面に塵が付着していた場合であっても、その塵が被処理物2の裏面に付着することを防止することができる。
Claim (excerpt):
被処理物に注入するためのイオンを含むプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記被処理物に対してパルス状電圧を電極体から印加する電圧印加手段とを備え、前記プラズマ発生手段により、前記被処理物に注入するイオンを含むプラズマを発生させ、このプラズマ中で前記電圧印加手段により前記電極体からパルス状電圧を前記被処理物に印加し、イオンを前記被処理物に注入することにより前記被処理物の表面を処理する表面処理装置であって、前記被処理物を前記電極体と一定の間隔をあけて取り付けてイオン注入することを特徴とする表面処理装置。
IPC (2):
FI (2):
H01J 37/317 Z
, C23C 14/48 Z
F-Term (4):
4K029CA10
, 4K029DE00
, 5C034CC07
, 5C034CC19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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SOI基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-021333
Applicant:住友金属工業株式会社
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半導体製造装置のクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-126403
Applicant:ソニー株式会社
-
静電チャック装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-267582
Applicant:日本電子株式会社
-
特開昭58-023156
-
基板冷却装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-034178
Applicant:国際電気株式会社
-
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-213484
Applicant:三菱電機株式会社
-
情報担体用樹脂製ディスク基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-189208
Applicant:ソニー株式会社, 工業技術院長
-
情報記録媒体およびこれに用いられる樹脂基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-091422
Applicant:株式会社東芝
-
特開平4-280055
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