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J-GLOBAL ID：200903002084247900
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279426
Publication number (International publication number)：1993121472
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】LSIチップを、実装基板に実装する時に、ボンディング材料による配線導体の短縮を防止する。【構成】半導体素子を実装する実装基板1の配線導体2よりも厚い絶縁樹脂6を形成する工程を有する。
Claim (excerpt)：
配線導体が形成された実装基板に、LSIチップを搭載し、樹脂で封止した半導体装置において、前記実装基板の配線導体間に配線導体よりも厚さの厚い絶縁樹脂を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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