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J-GLOBAL ID：200903002085117295

半導体処理装置とその前処理方法

Inventor： 松永 大輔
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992009547
Publication number (International publication number)：1993198515
Application date： Jan. 23, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体処理装置とその前処理方法に関し,発塵量を低減して, デバイスの製造歩留と信頼性を向上し且つ処理装置の稼働率と信頼性の向上を目的とする。【構成】 1)被処理基板の処理を行う処理室と,該処理室内を加熱する手段と,処理に使用する排気系とは別の水分除去用の排気系を有する,2)堆積,エッチング等の処理開始前に処理室内を加熱する工程と,該加熱中に処理に使用する排気系とは別の排気系を使用して該処理室内の水分を除去する,3)前記加熱が反応生成物を発生しない性質のガスのプラズマを処理室内に発生させて行われる,4)前記ガスが希ガス,フッ素系ガス,塩素系ガスであるように構成する。

Claim (excerpt)：

被処理基板の処理を行う処理室と,該処理室内を加熱する手段と,処理に使用する排気系とは別の水分除去用の排気系を有することを特徴とする半導体処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302