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J-GLOBAL ID：200903002087612587

半導体移相器

Inventor： 稲見 和喜 ,  小出 秀之 ,  笠原 通明
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995047187
Publication number (International publication number)：1996250902
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 設定位相精度の周波数依存性が少なく概略180度移相できる小型な半導体移相器を得ることを目的とする。【構成】 電気長が概略1/4波長のドレイン電極、ソース電極、ゲート電極を有するFETのドレイン電極とソース電極それぞれに入出力用マイクロストリップ線路パターンを接続し、ゲートバイアス電圧によりFETに遮断、通過のスイッチ動作をさせて位相を切換える構成とした。【効果】 ゲートバイアス電圧によりFETに遮断、通過のスイッチ動作をさせることによりマイクロ波信号の通過位相を概略180度移相できる小型で広帯域な移相器が得られる効果がある。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、その半導体基板裏面に設けられたグランド用金属と、前記半導体基板上面に形成された第1及び第2の入出力用マイクロストリップ線路パターンと、電気長が概略1/4波長のドレイン電極、ソース電極、ゲート電極を有する電界効果トランジスタとで構成され、前記ドレイン電極の一端が前記第1の入出力用マイクロストリップ線路パターンと接続され、前記ソース電極の一端が前記第2の入出力用マイクロストリップ線路パターンと接続されていることを特徴とする半導体移相器。

IPC (5)：

H01P 1/185 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01P 1/15 ,  H01P 5/04

FI (4)：

H01P 1/185 ,  H01P 1/15 ,  H01P 5/04 ,  H01L 29/80 R