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J-GLOBAL ID：200903002089116340

半導体素子のソース/ドレイン形成方法

Inventor： ウー ボン リー ,  サン キ ホン ,  ユン アーム ヤン ,  ヤエ ウォアン コー ,  イル スン ヒュン
Applicant, Patent owner： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド
Agent (1)： 長谷 照一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993261227
Publication number (International publication number)：1994204161
Application date： Oct. 19, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子に浅い結合のソース/ドレインを形成する【構成】 半導体基板にソース/ドレインを形成する不純物イオンを注入した後に該不純物イオン注入層下にAr+イオンを注入して非晶質層を形成し、その後に熱処理をすることを特徴とする半導体素子のソース/ドレインを形成する方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板にソース/ドレインを形成する不純物イオンを注入した後に該不純物イオン注入層下にAr+イオンを注入して非晶質層を形成し、その後に熱処理をすることを特徴とする半導体素子のソース/ドレイン形成方法。

FI (4)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-085926