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J-GLOBAL ID:200903002089344245

シリサイド層の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 合田 潔 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994199383
Publication number (International publication number):1995153717
Application date: Sep. 12, 1986
Publication date: Jun. 16, 1995
Summary:
【要約】【目的】 耐火金属とシリコンを同時蒸着することによって形成されたシリサイドのうち、反応によって形成された所期の組成を有するシリサイドを残しつつ、未反応の金属含有率の高いシリサイドを選択的に除去する方法を提供する。【構成】 同時蒸着よってMSix(0.25≦x≦0.75)を有する第1のシリサイド層を形成し、アニーリングを行ってこれを絶縁物に被覆されていない領域のみと反応させて、未反応部分のみをエッチング剤を作用させて選択的に除去する。このとき、耐火性金属はコバルト、バナジウム、ニッケルのいずれかであって、エッチング剤は塩酸又は硫酸のいずれかと過酸化水素と水が実質的に1:1:1またはそれ以上の濃度のものであることを特徴とする。
Claim (excerpt):
絶縁物領域及び絶縁物に被覆されていない領域を有するシリコン基板上にシリコン及び耐火性金属を同時に蒸着しMSix(0.25≦x≦0.75)を有する第1のシリサイド層を形成し、アニーリングを行って前記第1のシリサイド層を前記絶縁物に被覆されていない領域のみと反応させて第2のシリサイド層を形成し、前記第1のシリサイド層の未反応部分のみを前記基板にエッチング剤を作用させて選択的に除去する、自己整合的なシリサイド層の形成方法であって、前記耐火性金属はコバルト、バナジウム、ニッケルのいずれかであって、前記エッチング剤は塩酸又は硫酸のいずれかと過酸化水素と水が実質的に1:1:1またはそれ以上の濃度のものであることを特徴とする方法。
IPC (5):
H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (3):
H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 102 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭58-006125
  • 特開昭60-068612
  • 特開昭50-057178

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