Pat

J-GLOBAL ID：200903002093322906

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 中村 隆一 ,  喜納 修
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005096733
Publication number (International publication number)：2006190922
Application date： Mar. 30, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：

【課題】 ゲート電極及びソース・ドレイン電極を形成する工程間において、熱の印加による寸法変動を回避し、生産効率を保持したまま、簡易な工程により、安定した特性を有する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート絶縁膜としてのフィルムのいずれかの面にゲート電極、それと異なる面にソース・ドレイン電極を、導電性材料が有機溶媒により溶解された溶液または分散体を印刷することにより形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、フィルムの一方の面に、いずれか一方の電極のパターン形状を前記溶液または分散体により印刷する工程と、先に印刷された電極のパターン形状の溶液または分散体を真空乾燥し、有機溶媒を揮発させて電極を形成する工程とを有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜としてのフィルムのいずれかの面にゲート電極、それと異なる面にソース・ドレイン電極を、導電性材料が有機溶媒により溶解された溶液または分散体を印刷することにより形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、 前記フィルムの一方の面に、いずれか一方の電極のパターン形状を前記溶液または分散体により印刷する工程と、 先に印刷された前記電極のパターン形状の溶液または分散体を真空乾燥し、有機溶媒を揮発させて電極を形成する工程と を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/288

FI (5)：

H01L29/78 627C ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K

F-Term (35)：

4M104AA09 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH00 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE37 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110HM19 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ16