レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003097649
Publication number (International publication number)：2004004697
Application date： Apr. 01, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【解決手段】一般式(1)に示される繰り返し単位k及びmを含む高分子化合物(i)と、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換された繰り返し単位を含む高分子化合物(ii)とを含むするレジスト材料。 (R1、R2は水素原子又は酸不安定基であり、0<k<1、0<m<1、0<k+m≦1。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下の波長における透明性に優れる樹脂(i)と、アルカリ溶解のコントラストが優れている樹脂(ii)のブレンドをベース樹脂として用いることによりレジストの透明性とアルカリ溶解コントラストが向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有することがわかった。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)に示される繰り返し単位k及びmを含む高分子化合物(i)と、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換された繰り返し単位を含む高分子化合物(ii)とを含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (2)：

G03F7/039 , H01L21/027

FI (2)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (18)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-056564 Applicant：JSR株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-124021 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-030530 Applicant：信越化学工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Synthesis of Novel Fluoropolymer for 157nm Photore

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