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J-GLOBAL ID：200903002096761625

半導体装置およびその製造方法ならびにその製造に用いるリードフレーム

Inventor： 西村 大輔 ,  山崎 甲生 ,  亀山 英明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997153241
Publication number (International publication number)：1999003905
Application date： Jun. 11, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 第2ボンディング部でのワイヤ破断の防止。【解決手段】 絶縁性樹脂からなる封止体と、前記封止体内に位置する支持板と、前記支持板上に固定された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って延在するとともに前記支持板の周囲に先端を延在させるリードと、前記半導体チップの電極部分を第1ボンディング部とし前記リードの先端部分を第2ボンディング部とするネイルヘッドワイヤボンディングによる導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、前記封止体内のリードにおいて前記ワイヤが接続されるリードのワイヤ接続面は前記ワイヤ接続面を除くリード表面よりもワイヤ接続面側に突出している。前記リードの先端部分はワイヤ接続面側に階段状に屈曲した構造になり、屈曲による突出部分の表面が前記ワイヤ接続面を構成する。前記支持板は前記封止体内におけるワイヤ接続面部分を除くリード表面よりも低くなっている。

Claim (excerpt)：

絶縁性樹脂からなる封止体と、前記封止体内に位置する支持板と、前記支持板上に固定された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って延在するとともに前記支持板の周囲に先端を延在させるリードと、前記半導体チップの電極部分を第1ボンディング部とし前記リードの先端部分を第2ボンディング部とするネイルヘッドワイヤボンディングによる導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、前記ワイヤが接続されるリードのワイヤ接続面はワイヤ接続面に連なるリード表面部分よりもワイヤ接続面側に突出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/50

FI (2)：

H01L 21/60 301 D ,  H01L 23/50 S