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J-GLOBAL ID：200903002110888153
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
蔵合 正博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992077811
Publication number (International publication number)：1994045698
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 可視光半導体レーザのようなGaAs基板上に作製したGaInPやAlGaInPの活性層を、これよりバンドギャップの大きなGaInPまたはAlGaInPのクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体発光素子において、クラッド層に高濃度ドーピングするとドーピングした不純物がクラッド層から活性層へ拡散し、活性層の結晶品質の低下やバンドギャップの変化が発生するという問題を解決する。【構成】 n型クラッド層を活性層14に近い側の低濃度ドーピング領域13と遠い側の高濃度ドーピング領域12とに分け、p型クラッド層を活性層14に近い側の低濃度ドーピング領域15と遠い側の高濃度ドーピング領域16とに分ける。これにより、クラッド層から活性層14への不純物の拡散を抑制しながらクラッド層全体の高濃度ドーピングを実現できる。
Claim (excerpt)：
第1導電型GaAs基板上に、AlGaInPからなる活性層を、この活性層よりも大きなエネルギーギャップを持つAlGaInPからなる第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層とで挟んだダブルヘテロ構造を有し、前記第1導電型クラッド層および第2導電型クラッド層の両方またはいずれか一方が、前記活性層に近い側の低濃度ドーピング領域と、前記活性層に遠い側の高濃度ドーピング領域とを備えた半導体発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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