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J-GLOBAL ID：200903002115679200

半導体装置の製造方法

Inventor：
野間 崇

About 野間 崇

, 
高倉 康一

About 高倉 康一


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 須藤 克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004256380
Publication number (International publication number)：2006073838
Application date： Sep. 03, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：
【課題】 チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、製造コストの増加を極力抑止する。【解決手段】 絶縁膜11を介してパッド電極12が形成された半導体基板10の表面上に、当該パッド電極12の一部を露出する第1の開口部13wを形成するようにして、第1の有機材料を選択的にインクジェット印刷する。その後、第1の有機材料をベークにより固化して層間絶縁膜13を形成する。次に、第1の開口部13wを含む層間絶縁膜13上に、所定のパターンに応じて、導電性ペーストをインクジェット印刷する。その後、導電性ペーストをベークにより固化して配線層18を形成する。次に、配線層18上を含む層間絶縁膜13上に、第2の有機材料を選択的にインクジェット印刷する。次に、第2の有機材料をベークにより固化して保護層を形成する。【選択図】 図4
Claim 1：
第1の絶縁膜を介してパッド電極が形成された半導体基板の表面上に、当該パッド電極の一部を露出する第1の開口部を形成するようにして、第1の有機材料を選択的にインクジェット印刷する工程と、 前記第1の有機材料をベークして第2の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の開口部で露出する前記パッド電極の一部上を含む前記第2の絶縁膜上に、所定のパターンに応じて、導電性ペーストをインクジェット印刷する工程と、 前記導電性ペーストをベークして配線層を形成する工程と、 前記配線層上を含む前記第2の絶縁膜上に、前記パッド電極の一部を露出する第2の開口部を形成するようにして、第2の有機材料を選択的にインクジェット印刷する工程と、 第2の有機材料をベークして保護層を形成する工程と、 前記半導体基板及びそれに積層された各層をダイシングして、複数の半導体チップ及びそれに積層された各層から成る半導体装置に分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (4)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/88 T ,  H01L21/88 B
F-Term (11)：
5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033MM13 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033SS21 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX34
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-046301   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Cited by examiner (3)

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