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J-GLOBAL ID：200903002119229225
電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178432
Publication number (International publication number)：1993029357
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、優れた放熱性を得ることを目的とする。【構成】 化合物半導体からなる基板1の一主面上にオーミック接合するソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5・ドレイン電極6間に形成されたゲート電極7と、基板1の他の主面上に形成された金属層10と、基板1を貫通してソース電極5と金属層10とを接続する金属接続体10aと、ドレイン電極6と金属層10との間の基板1中に設けられ基板1よりも良熱伝導性を有する絶縁体11とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
化合物半導体からなる基板と、該基板の一主面上にオーミック接合するソース電極及びドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、前記基板の他の主面上に形成された金属層と、前記基板を貫通して前記ソース電極と前記金属層とを接続する金属接続体と、前記ドレイン電極と前記金属層の間の前記基板中に設けられ該基板よりも良熱伝導性を有する絶縁体とを有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/318
