電子部品製造方法および電子部品

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001216365
Publication number (International publication number)：2002118128
Application date： Nov. 12, 1997
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】封止樹脂の密着性を向上させることができる電子部品製造方法および電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】基板31上に半導体素子41を搭載し、この半導体素子41と基板31の電極32をワイヤボンディングにより接続してなる電子部品の製造方法において、銅電極32a上のニッケル膜32bに形成された金膜32cの表面に、半導体素子接着時の熱処理によって生成する接合阻害物を、アルゴンガスによる第1のプラズマ処理によって除去してワイヤボンディング性を向上させる。その後、第1のプラズマ処理によって樹脂モールド45との密着性が低下したレジスト34の表面を、酸素ガスプラズマを用いる第2のプラズマ処理によって改質し、封止樹脂の樹脂モールド45との密着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

基板に半導体素子を搭載して両者を電気的に接続し、その後基板上の半導体素子を樹脂封止する電子部品製造方法であって、基板の電極表面上の接合阻害物をスパッタリングにより除去する第1のプラズマ処理工程と、前記第1のプラズマ処理後の基板のレジスト表面を改質する第2のプラズマ処理工程とを含み、前記第1のプラズマ処理工程は、少なくとも基板と半導体素子とを電気的に接続する前に行い、前記第2のプラズマ処理工程は第1のプラズマ処理を行った後、樹脂封止を行う前に行うことを特徴とする電子部品製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/56 , H01L 21/60 301

FI (2)：

H01L 21/56 R , H01L 21/60 301 D

F-Term (8)：

5F044AA03 , 5F044CC01 , 5F044CC02 , 5F044JJ03 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CB02 , 5F061CB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-295343 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-171282 Applicant：三菱電機株式会社

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