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J-GLOBAL ID：200903002128555534

高周波数帯用高出力トランジスタ容器

Inventor： 井上 壽明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014212
Publication number (International publication number)：1993206306
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高周波数帯用高出力トランジスタ容器の歪特性を改善する。【構成】 素子、基板、チップコンデンサが接する容器内の台座をCuWで形成する。【効果】 CuWで形成された台座はセラミック製のインピーダンス整合回路基板との熱膨張率の差が小さいため、耐熱環境性が高くなり温度サイクル、熱ショック特性の良好な高周波数帯用高出力トランジスタ容器が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体素子、調整回路等をマウントする台座を熱膨張率がマウントする材料に近い材料で形成することを特徴とする高周波数帯用高出力トランジスタ容器。