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J-GLOBAL ID：200903002134032128

静電スキャン式イオン注入方法

Inventor： 野辺 毅
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995145679
Publication number (International publication number)：1996315765
Application date： May. 19, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目 的】 半導体ウエハの中心部と周縁部とのイオン注入による不純物分布濃度の不均一性を抑制することができ、特性の均一な半導体装置を製造することができる静電スキャン式イオン注入方法を提供すること。【構 成】 Y軸走査電極11a,11bに鋸波発生回路14から一定周波数の鋸波電圧を印加した状態で、X軸走査電極10a,10bに三角波発生回路15から発生する可変周波数の三角は電圧を印加するこにより、イオン・ビーム3のY軸方向の走査が前記イオン注入面8aのY軸方向の上端側から下端側行くにしたがいイオン・ビーム3のX軸方向の走査速度を漸減させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

所定のチルト角度を有する半導体ウエハのイオン注入面にイオン発生源からのイオン・ビームをXY軸方向に走査することにより注入する静電スキャン式イオン注入方法であって、前記イオン・ビームのX軸方向の走査速度を、前記半導体ウエハのイオン注入面におけるY軸方向のイオン・ビーム入射角度の小さい側からイオン・ビーム入射角度の大きい側に行くにしたがい漸減した、ことを特徴とする静電スキャン式イオン注入方法。

IPC (2)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01J 37/317 C ,  H01L 21/265 D