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J-GLOBAL ID：200903002138355282

弾性表面波デバイスの製造方法

Inventor： 小林 玲子 ,  高木 利幸 ,  三島 直之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993289052
Publication number (International publication number)：1995142951
Application date： Nov. 18, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【構成】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板上にネガ型フォトレジストを用いてパターンを形成し、この圧電基板とこのフォトレジストとの上に蒸着法により金属層を形成し、次いでリフトオフ法によりこの金属層を電極構造にパターン形成することをその特徴とする。【効果】 本発明によれば、電極構造の線幅制御が容易となる効果がある。

Claim (excerpt)：

圧電基板上にネガ型フォトレジストを用いてパターンを形成する工程と、この圧電基板とこのフォトレジストとの上に蒸着法により金属層を形成する工程と、次いでリフトオフ法によりこの金属層を電極構造にパターン形成する工程とを少なくとも備えたことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法