半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996060695
Publication number (International publication number)：1997252127
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】ウェルを有する半導体装置に関し、MOSFETのソース/ドレィン領域の拡散層容量を大きくすることなく、素子面積を小さくして集積度の向上すること。【解決手段】半導体基板1に形成された一導電型不純物拡散層からなるウェル6と、前記ウェル6の表層に形成されるMOSトランジスタのソース、ドレインとなる反対導電型不純物拡散層12s,12dと、前記反対導電型不純物拡散層12s,12dの下に接合して形成され、前記ウェル6よりも低い濃度の低濃度一導電型不純物拡散層6aとを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された一導電型不純物拡散層からなるウェルと、前記ウェルの表層に形成されるMOSトランジスタのソース、ドレインとなる反対導電型不純物拡散層と、前記反対導電型不純物拡散層の下に接合して形成され、前記ウェルよりも低い濃度の低濃度一導電型不純物拡散層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2)：

H01L 29/78 301 X , H01L 27/08 321 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭58-124269
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-060091 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-071268

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