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J-GLOBAL ID：200903002145994266

スパツタ・デポジシヨン装置及びスパツタリング・カソード

Inventor： ジエローム・ジヨン・クオモ ,  ステイーブン・マーク・ロスナゲル
Applicant, Patent owner： インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210782
Publication number (International publication number)：1993125531
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： May. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜を形成するスパッタ・デポジション装置において、スパッタされてターゲットから放出される原子の放出方向に指向性を付与する。【構成】 低圧スパッタ・デポジション装置の真空チャンバ10の中に、被加工物16とスパッタリング・ターゲット・カソード20とを、対向させて略々平行に配置し、それらの間にマグネトロンによって強い電磁界を確立して、プラズマ30を形成する。プラズマは、カソードの表面に近接して、ただし、カソードの表面からプラズマの暗部領域の厚さ寸法dだけ離れて形成される。カソードにはその放出表面の全域に亙って複数の孔22を密集して形成しておく。孔のアスペクト比h/w(h=深さ、w=差し渡し寸法)を1.5以上にして、孔の底面からの放出だけがカソードから飛び出すようにする。孔の最小差し渡し寸法を、暗部の厚さ寸法の2倍以下であるようにして、プラズマが孔に入り込まないようにする。

Claim (excerpt)：

低圧スパッタ・デポジション処理に用いるスパッタ・デポジション装置において、処理用チャンバから排気して該チャンバ内に0.5ミリトール以下の真空を確立するための手段と、前記チャンバ内へイオン化可能なガスを導入するための手段と、いずれも前記チャンバ内に配置されている、アノードとスパッタリング・ターゲット・カソードとの間に、高強度の電磁界を確立するための手段と、を備え、前記電磁界は、イオン化したガスのプラズマの領域が、前記カソードに近接して、ただし該カソードから距離dだけ離れて、形成されるようにする電磁界であり、前記カソードは、平坦な表面を有すると共に、密集させて連続して形成した複数の孔を、その放出表面の全域に亙って備えており、前記複数の孔は、そのアスペクト比h/w(ここで、h=深さ、w=差し渡し寸法である)が少なくとも1.5であり、且つ、それら孔どうしの間の間隔は、前記カソードの構造体としての物理的強度を維持するために必要なだけの幅としてあり、前記孔は、その最小差し渡し寸法(w)を、プラズマのイオン化領域と前記カソードの表面との間の空間の厚さ寸法である、暗部厚さ寸法の2倍より小さくすることによって、イオン化したプラズマが前記孔の中へ入り込むことを阻止するようにし、また、前記カソードからの放出が主として前記孔の底面からの放出であるようにした、スパッタ・デポジション装置。

IPC (3)：

C23C 14/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-077459
  
• 特開昭61-117276