Sep. 06, 2002
Apr. 02, 2004
【課題】主たる層構成部分を比較的優れた放熱性を有する材料で構成しながら、高出力動作時の非常に高い光密度を緩和し、かつ、高出力動作時の非常に高い電流注入密度の低減をも実現する半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に、AlxnGa1-xnAs(0
Claim 1:
少なくとも、第一導電型を示す基板、第一導電型を示すAlxnGa1-xnAs(0
IPC (4):
H01S5/323
, G02B6/42
, H01S5/026
, H01S5/343
FI (4):
H01S5/323
, G02B6/42
, H01S5/026 610
, H01S5/343
F-Term (14):
2H037BA02
, 2H037CA08
, 5F073AA07
, 5F073AA45
, 5F073AA46
, 5F073AA51
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073CB09
, 5F073EA11
, 5F073EA28
, 5F073FA08
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