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J-GLOBAL ID：200903002146779555

半導体発光素子およびモジュール

Inventor： 堀江 秀善
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002260863
Publication number (International publication number)：2004103677
Application date： Sep. 06, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】主たる層構成部分を比較的優れた放熱性を有する材料で構成しながら、高出力動作時の非常に高い光密度を緩和し、かつ、高出力動作時の非常に高い電流注入密度の低減をも実現する半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に、AlxnGa1-xnAs(0 Claim 1：

少なくとも、第一導電型を示す基板、第一導電型を示すAlxnGa1-xnAs(0 IPC (4)：

H01S5/323 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/343

FI (4)：

H01S5/323 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 610 ,  H01S5/343

F-Term (14)：

2H037BA02 ,  2H037CA08 ,  5F073AA07 ,  5F073AA45 ,  5F073AA46 ,  5F073AA51 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CB09 ,  5F073EA11 ,  5F073EA28 ,  5F073FA08