Pat
J-GLOBAL ID：200903002157083579

薄膜太陽電池の製造方法及び同薄膜の成膜状態監視装置

Inventor：
高野 章弘

About 高野 章弘


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999163805
Publication number (International publication number)：2000353814
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：
【要約】【課題】 光電変換層,透明電極層などの成膜状態の異常を、簡便かつ安価な方法により製造プロセスにおいて監視可能とし、生産性向上と量産コスト低減を図った薄膜太陽電池の製造方法及び同薄膜の成膜状態監視装置を提供する。【解決手段】 太陽電池表面に白色光を照射するための白色光源1と、照射光と反射光を誘導する光ファイバー2と、光の反射スペクトルを測定するための分光器5および検出器6と、300nmから600nmの波長領域における反射スペクトルのスロープの変化による透明電極層の光学的膜厚情報の変動に基づき、透明電極層の成膜状態の正常,異常の判定機能を有するCPU7、もしくは、500nmから2500nmの波長領域における反射スペクトルの干渉周期の変化による光電変換層の光学的膜厚情報の変動に基づき、光電変換層の成膜状態の正常,異常の判定機能を有するCPU7とを備えたものとする。
Claim (excerpt)：
電気絶縁性を有するフィルム基板の表面に下電極層としての金属電極層,光電変換層,透明電極層を順次積層してなる薄膜太陽電池の製造方法において、形成された前記透明電極層の表面に白色光を照射してその反射スペクトルを測定し、300nmから600nmの波長領域における反射スペクトルのスロープの変化による透明電極層の光学的膜厚情報の変動に基づき、透明電極層の成膜状態の監視を行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
F-Term (8)：
5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM