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J-GLOBAL ID:200903002157575315
ドライエッチング方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高月 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992255787
Publication number (International publication number):1994084842
Application date: Aug. 31, 1992
Publication date: Mar. 25, 1994
Summary:
【要約】【目的】 金属系材料を含む被エッチング材を、臭素系ガスを用いてエッチングする場合に、エッチングにより形成されたパターンの側壁に生成する付着物を容易に除去するドライエッチング方法を提供する。【構成】 Alを含む材料等の金属系材料10のドライエッチングにおいて、臭素原子を構成原子として含有するガス(HBr、BBr3 、CBr4 、Br2 等)を少なくとも含むガス中にてエッチングを行った後、塩素原子を構成原子として含有するガス(HCl、Cl2 、BCl3 、CCl4 等)を少なくとも含むガス中にてエッチングを行うドライエッチング方法。
Claim (excerpt):
金属系材料のドライエッチングにおいて、臭素原子を構成原子として含有するガスを少なくとも含むガス中にてエッチングを行った後、塩素原子を構成原子として含有するガスを少なくとも含むガス中にてエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭53-022836
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特開平4-148534
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特開平4-171726
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