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J-GLOBAL ID：200903002159821429

メッキ方法及びメッキ装置

Inventor：
松田 哲朗

About 松田 哲朗

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金子 尚史

About 金子 尚史

, 
奥村 勝弥

About 奥村 勝弥


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999033234
Publication number (International publication number)：2000232078
Application date： Feb. 10, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：
【要約】【課題】ダマシンプロセスに適した溝や孔への優先的なメッキ膜形成を実現する。【解決手段】被処理基板100の導電体層103の表面に、メッキヘッド110が載置されている。メッキヘッド110は、導電体層103上に直接載置され、メッキ液を含むPVA(ポリビニルアルコール)から構成された含浸パッド111と、含浸パッド111上に設置され電源113に接続された含燐銅からなる陽極112とから構成されている。。導電体層103の最外周部に対して均等に8個の針状の陰極接点120を設けている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された凹凸パターンを有する構造体の表面の少なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ液を供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を形成するメッキ方法において、前記陽極が接続された前記メッキ液を含む含浸体を前記導電体層の少なくとも一部の領域に接触させることによって、前記メッキ膜を形成することを特徴とするメッキ方法。
IPC (3)：
H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/06
FI (3)：
H01L 21/288 E ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/06 C
F-Term (27)：
4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA03 ,  4K024CA06 ,  4K024CA12 ,  4K024CB06 ,  4K024CB08 ,  4K024CB09 ,  4K024CB17 ,  4K024CB21 ,  4K024CB24 ,  4K024CB26 ,  4K024DB07 ,  4K024FA03 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104GG16 ,  4M104HH13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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