InGaAsP四元混晶のエツチング方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井出直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991087605
Publication number (International publication number)：1993114588
Application date： Mar. 26, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 InGaAsP 四元混晶を垂直性よくエッチングでき、しかも平滑なエッチング面が得られるようにする。【構成】エタンと水素との混合気体にアルゴンを添加して反応性イオンエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

エタンおよび水素を含む雰囲気中でInGaAsP 四元混晶を反応性イオンエッチングする方法において、前記雰囲気にアルゴンを添加することを特徴とするInGaAsP 四元混晶のエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/302 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , C30B 29/40 , C30B 33/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-044721
特開昭62-093651
特開昭62-009264

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