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J-GLOBAL ID：200903002170546448

ECRプラズマ処理装置

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991306666
Publication number (International publication number)：1993121362
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ECRプラズマ処理装置において、半導体ウェハ表面に付着するパーティクルを減らす。【構成】 ECRプラズマ反応室の少なくとも上記基板の表面上のプラズマ化学反応の生じる部分の近傍に、表面に凹凸がある防着部を設ける。

Claim (excerpt)：

ECRプラズマ発生室と、プラズマ化学反応により基板表面に膜を形成しあるいはエッチングするECRプラズマ反応室からなるECRプラズマ処理装置において、上記ECRプラズマ反応室の少なくとも上記基板の表面上のプラズマ化学反応の生じる部分の近傍に、表面に凹凸がある防着部を設けてなることを特徴とするECRプラズマ処理装置

IPC (8)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-202535
  
• 特開平3-122292
  
• 特開平1-231322
  
• 特開平2-065129