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J-GLOBAL ID：200903002173205374

高周波プラズマ発生方法と装置

Inventor： 戸泉 厚 ,  甲斐 隆行
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002258334
Publication number (International publication number)：2004096019
Application date： Sep. 04, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】反応生成物などによってインピーダンス整合の位置が変化しても、効率良く整合のとれたプラズマを発生させる。【解決手段】プロセス処理条件ごとに過去のインピーダンス整合値を記憶しておき、その変化に応じてプロセス処理のスタート時のインピーダンス整合のプリセット値を自動的に設定するようにし、チャンバ内部の変化により整合範囲が変化してもそれに追随して効率良く整合をとることができるようにした。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

チャンバ内でプラズマ処理を行なった際に、インピーダンス整合機の整合値を各プロセス処理条件毎に記憶しておき、各プロセス処理のスタート時にそのプロセス処理条件の以前の整合値の記憶に基づいて整合値のプリセット値を設定することを特徴とする高周波プラズマ発生方法。

IPC (4)：

H01L21/3065 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

FI (4)：

H01L21/302 101G ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 R

F-Term (12)：

4K030FA01 ,  4K030JA00 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030LA00 ,  5F004BB13 ,  5F004CA08 ,  5F004CB07 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045EH19 ,  5F045GB16