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J-GLOBAL ID：200903002174219816

半導体レーザ装置

Inventor： 八木 克己
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992104646
Publication number (International publication number)：1993299765
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 圧縮歪をもつInyGa1-yAs量子井戸半導体レーザ装置の単一モードでの高光出力化を実現することを目的とする。【構成】 GaAs基板1上に、圧縮歪をもつInyGa1-yAsを量子井戸層6とする歪量子井戸構造の活性層8の近傍に、光出力側端面領域A,Cを除いて歪緩和層9を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Claim (excerpt)：

GaAs基板と、該基板上に形成した圧縮歪をもつInyGa1-yAsを量子井戸層とする歪量子井戸構造の活性層と、からなる半導体レーザ装置において、光出力側端面領域を除く内部領域にある前記活性層の近傍に歪緩和層を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。