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J-GLOBAL ID：200903002176782488
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994197421
Publication number (International publication number)：1996045874
Application date： Jul. 30, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】本発明は、Alアロイスパイクの発生が抑制され、微細化が可能になると共に、ショットキーバリアダイオードの低い順方向電圧が得られるようにした、半導体装置を提供することを目的とする。【構成】表面に酸化膜19が形成された半導体基板12上に関して、酸化膜に窓部を形成して、該窓部にて酸化膜の下方の半導体層17a,15,16,14’,18を露出させ、該窓部の上に金属層20を形成することにより、取出し電極20a,20b,20c,20eまたは配線パターンを構成すると共に、該金属層20dと半導体層14’との間に整流性接合Cを構成するようにした、半導体装置において、上記金属層が、シリコン含有率1%以下のAl-Si層から成るように、半導体装置を構成する。
Claim (excerpt)：
表面に酸化膜が形成された半導体基板上に関して、酸化膜に窓部を形成して、該窓部にて酸化膜の下方の半導体層を露出させ、該窓部の上に金属層を形成することにより、取出し電極または配線パターンを構成するようにした、半導体装置において、上記金属層が、シリコン含有率1%以下のAl-Si層から構成されていることを特徴とする、半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 29/872
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/88 N
, H01L 29/48 S
, H01L 29/72
Cited by examiner (8)
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