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J-GLOBAL ID：200903002180375110

半導体装置の製造方法

Inventor： ヨハン フイリツペ ウイリアム ドウチヤテアウ ,  アレツク ハロルド リーダー ,  ゲリツト ヤン フアン デア コルク
Applicant, Patent owner： エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
Agent (1)： 沢田 雅男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992069645
Publication number (International publication number)：1993094966
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 シリコン領域3、4、5、6と絶縁材料の領域8、9とにより仕切られた半導体基体の表面にコバルトCoまたはニッケルNiを含有する層12を被着し、次いで該半導体基体を加熱し前記コバルトCoまたはニッケルNiが前記シリコン3、4、5、6とメタルシリサイドを形成する。コバルトCoまたはニッケルNiを含有する層として、チタンTi、ジルコニウムZr、タンタルTa、モリブデンMo、ニオブNb、ハフニウムHf及びタングステンW よりなる群より選択された金属との非晶質合金(amorphous alloy) の層を前記表面に被着し、前記非晶質合金(amorphous alloy) の層が加熱処理中に非晶質の状態で残存するような加熱処理温度に調整する。【効果】 コバルトCoまたはニッケルNiはシリコン領域3、4、5及び6とのみメタルシリサイド10、20、30及び40を形成するが、直接隣接する絶縁材料8又は9とはメタルシリサイドを形成しない、即ち、自己整合法(a self-aligned manner) によりメタルシリサイドを形成することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン領域と絶縁材料の領域とにより仕切られた半導体基体の表面にコバルト(Co)またはニッケル(Ni)からなる層を被着し、次いで該半導体基体を加熱し前記コバルトまたはニッケルが前記シリコンとメタルシリサイドを形成するが、前記絶縁材料とはメタルシリサイドを形成しない温度で加熱処理を行なう半導体装置の製造方法において、コバルト(Co)またはニッケル(Ni)を含有する層として、コバルトまたはニッケル金属とチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)及びタングステン(W) よりなる群より選択された金属との非晶質合金(amorphous alloy) の層を前記表面に被着し、前記非晶質合金(amorphous alloy) の層が加熱処理中に非晶質の状態で残存するような加熱処理温度に調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/784