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J-GLOBAL ID：200903002181935217

マイクロ波加熱型の半導体製造用サセプタおよび半導体製造装置

Inventor： 藤田 光広 ,  青沼 伸一朗 ,  村松 滋子 ,  市島 雅彦
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 松山 允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000251929
Publication number (International publication number)：2002075870
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体製造プロセスでの汚染が防止され、面内温度勾配の発生もなく、信頼性の高い半導体が得られる半導体製造用サセプタ、半導体製造装置の提供。【解決手段】 マイクロ波周波数帯域における誘電正接値が10-2以上の主として窒化アルミニウム焼結体より成り、かつその窒化アルミニウム焼結体を構成する窒化アルミニウム粒子のCodo法によって測定された平均粒径が2〜8μmであることを特徴とする半導体製造用サセプタである。

Claim (excerpt)：

マイクロ波周波数帯域における誘電正接値が10-2以上の主として窒化アルミニウム焼結体より成り、かつその窒化アルミニウム焼結体を構成する窒化アルミニウム粒子のCode法によって測定された平均粒径が2〜8μmであることを特徴とするマイクロ波加熱型の半導体製造装置用サセプタ。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C04B 35/581 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/68 N ,  C04B 35/58 104 Y

F-Term (32)：

4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BC13 ,  4G001BC17 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD38 ,  4G001BE22 ,  4G001BE32 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA46 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F045AA03 ,  5F045AA20 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK03 ,  5F045EM09