半導体ダイヤモンドの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997261505
Publication number (International publication number)：1999100296
Application date： Sep. 26, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体ダイヤモンドの製造には、ドーパントを注入し、その後再結晶化のために熱処理をする必要があった。さらに、ダイアモンドは準安定状態であり、相転移しないようなドーピングや熱処理を行うには、処理時間が長くなったり、ターゲットとして多結晶ダイヤモンドが用いることができないなどの問題があった。【解決手段】本発明では、300°Cよりも高く1500°C以下の温度に加熱されたダイヤモンドに、照射レートが1×107個/cm2sec.以上1×1015個/cm2sec.以下でドーパント元素粒子を照射するによって、上記問題点を解決した半導体ダイヤモンドの製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

300°Cよりも高く1500°C以下の温度に加熱されたダイヤモンドに、照射レートが1×107個/cm2sec.以上1×1015個/cm2sec.以下でドーパント元素粒子を照射することを特徴とする半導体ダイヤモンドの製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/04 , C30B 31/20 , H01L 21/265

FI (3)：

C30B 29/04 V , C30B 31/20 , H01L 21/265 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体ダイヤモンドの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186079 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体ダイヤモンドの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186076 Applicant：松下電器産業株式会社
ダイヤモンドのドーピング
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-173554 Applicant：デビアスインダストリアルダイアモンドデイビジヨン(プロプライエタリイ)リミテツド

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