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J-GLOBAL ID：200903002185952299
電界放射型電子源
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998272342
Publication number (International publication number)：2000100316
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】電子を安定して高効率で放出できる低コストの電界放射型電子源を提供する。【解決手段】導電性基板から強電界ドリフト層たる急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層6に注入された電子は、多孔質ポリシリコン層6内を表面に向かってドリフトし多孔質ポリシリコン層6上に形成された金属薄膜をトンネルして放出される。多孔質ポリシリコン層6は、少なくとも、柱状の半導体結晶であるポリシリコン61と、ポリシリコン61の表面に形成された薄いシリコン酸化膜62と、柱状のポリシリコン61間に介在するナノメータオーダの半導体微結晶である微結晶シリコン層63と、微結晶シリコン層63の表面に形成され当該微結晶シリコン層63の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜64とから構成され、電子はシリコン酸化膜64にかかる強電界により加速される。
Claim (excerpt)：
導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された強電界ドリフト層と、該強電界ドリフト層上に形成された金属薄膜とを備え、金属薄膜を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし金属薄膜を通して放出される電界放射型電子源であって、前記強電界ドリフト層は、少なくとも、導電性基板の主表面に略直交して列設された柱状の半導体結晶と、半導体結晶間に介在するナノメータオーダの半導体微結晶と、半導体微結晶の表面に形成され当該半導体微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とからなることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2)：
FI (2)：
H01J 1/30 M
, H01J 1/30 C
