熱伝導率を調整することによって結晶質材料のブロックを製造するための装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008180025
Publication number (International publication number)：2009018987
Application date： Jul. 10, 2008
Publication date： Jan. 29, 2009
Summary：

【課題】シリコン、ゲルマニウム等の結晶質材料のブロックを製造するための、伝導による熱除去を精密に調整可能なブリッジマン型の装置を提供する。【解決手段】溶融材料19の槽から結晶質材料20のブロックを製造するための装置は、底部3を有する坩堝2と、坩堝2の下方に配置された熱除去手段9とを備える。また、装置は、坩堝の底部3と熱除去手段9との間に取り付けられた熱伝導率を調整するための手段7を備える。熱伝導率を調整するための手段7は、低放射率の熱伝導性材料から製造されかつ坩堝の底部3に平行な複数のプレート10と、プレート10がお互いに近づきかつ遠ざかるようにプレート10を移動させるための手段8とを備える。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

底部(3)を有する坩堝(2)と、前記坩堝(2)の下方に配置された熱除去手段(9)と、前記坩堝の前記底部(3)と前記熱除去手段(9)との間に取り付けられた熱伝導率を調整するための手段(7)とを備える、溶融材料(19)の槽から結晶質材料(20)のブロックを製造するための装置において、熱伝導率を調整するための前記手段(7)が、低放射率の熱伝導性材料から製造され、かつ、前記坩堝の前記底部(3)に平行な複数のプレート(10)と、前記プレート(10)がお互いに近づきかつ遠ざかるように、かつ前記坩堝(2)の前記底部に近づきかつ遠ざかるように前記プレート(10)を移動させるための手段と、を備え、前記プレート(10)が、0.5以下の放射率を有することを特徴とする装置。

IPC (1)：

C30B 11/00

FI (1)：

C30B11/00 Z

F-Term (9)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CD02 , 4G077EA06 , 4G077EG18 , 4G077EG25 , 4G077HA01 , 4G077MB04 , 4G077MB26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

欧州特許明細書第141,999号公報
結晶シリコン製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-224691 Applicant：三菱マテリアル株式会社
英国特許出願公開明細書第2041236号公報

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Cited by examiner (1)

多結晶半導体の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-177360 Applicant：シャープ株式会社

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