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J-GLOBAL ID：200903002206239610

微少電荷制御素子及びその作製法

Inventor： 石橋 雅義 ,  谷口 彬雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996084373
Publication number (International publication number)：1997275214
Application date： Apr. 08, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 現在の半導体微細加工技術の延長では作製が困難な、単一電子素子などの微少電荷制御素子の動作部等に使用される微小電極接合部を高精度に作製すること。【解決手段】 有機化合物で表面を被覆した金属微粒子の水溶液8で満たされた容器7の中に絶縁膜1、ソース電極2、ドレイン電極3、ゲート電極4からなる素子5を入れ、上部に白金の対電極6を配置する。

Claim (excerpt)：

基板、該基板上に形成された絶縁膜、該絶縁膜の表面上に幅の狭い対向部を突き合わせた形で形成されたソース電極およびドレイン電極、該ソース電極およびドレイン電極のギャップに形成されたトンネル接合部および該ギャップの位置で前記絶縁膜内に設けられたゲート電極とよりなることを特徴とする微少電荷制御素子。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 49/00

FI (4)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 49/00 Z