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J-GLOBAL ID：200903002210240436
半導体デバイス等の金属表面からプラスチックのばり等を電解除去する方法及びその方法に使用する溶液組成物
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宇井 正一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993117163
Publication number (International publication number)：1994053262
Application date： May. 19, 1993
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体デバイスまたは類似の電子部品の金属表面に存在し、除去する必要のあるプラスチックのばりまたはブリードを電解除去する方法、及びこの方法に使用する溶液組成物を提供する。【構成】 半導体デバイスまたは類似の電子部品を水をベースにした1種または2種以上の有機溶媒、導電性塩、湿潤剤の溶液に浸し、洗浄すべき部品等を、陽極を同じ溶液中の対向電極に接続した直流電源の陰極に接続することによって部品等の表面からプラスチックのブリード等を電解除去する方法であって、電流が溶液を流れる際に、陰極の金属表面に直接隣接する液体皮膜のpH値を、溶液中の溶媒がプラスチックブリード等の軟化作用を引き起こし、陰極で同時に発生する水素ガスが金属表面からブリード等を除去することができるまで高めることによってブリード等を除去する。
Claim 1：
洗浄すべき半導体デバイスまたは類似の電子部品を水をベースにした1種または2種以上の有機溶媒、導電性塩、湿潤剤の溶液に浸し、陽極を同じ溶液中の対向電極に接続した直流電源の陰極に接続することによって該半導体デバイスまたは類似の電子部品の金属表面からプラスチック型のばりまたはブリードを電解除去する方法であって、電流が溶液を通過する際に、陰極の金属表面に直接隣接する液体皮膜のpH値を、溶液中の溶媒がプラスチックブリードの軟化作用を引き起こし、陰極で同時に発生する水素ガスが金属表面からプラスチック型のばりまたはブリードを除去することを可能にするに十分な値まで高めることを特徴とするばりまたはブリードの電解除去方法。
IPC (3)：
H01L 21/56
, C25F 1/00
, H01L 23/50
