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J-GLOBAL ID：200903002217383178

プラズマエッチング装置

Inventor： 長畑 和典
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999329421
Publication number (International publication number)：2000223480
Application date： Nov. 19, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 適切なプラズマ状態を得ることができ、微細化に対応可能であり、シェーディングダメージが生じ難いプラズマエッチング装置を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハWが収容されるチャンバー2と、チャンバー2内に設けられた上部電極21および下部電極(サセプタ)5と、上部電極21に50MHz以上の周波数の高周波電力を印加する第1の高周波印加機構100と、上部電極21および下部電極55、周波数が2MHz以上でかつ第1の高周波印加機構100の印加周波数よりも低く、互いに実質的に逆位相で同周波数の高周波を印加する第2の高周波印加機構200と、チャンバー2内を所定の減圧状態に維持する排気装置35と、チャンバー2内に処理ガスを導入する処理ガス供給機構30とを具備する。第2の高周波印加機構200から上部電極21に印加される高周波電力により、上部電極21に形成されるプラズマシースの厚さが厚くなる。

Claim (excerpt)：

被処理基板が収容されるチャンバーと、チャンバー内に相対向するように設けられた第1および第2の電極と、前記第1の電極に50MHz以上の高周波電力を印加する第1の高周波印加手段と、前記第2の電極に高周波電力を印加する第2の高周波印加手段と、前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記第2の電極に被処理基板を支持させた状態で、前記第1および第2の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理基板にエッチング処理を施すことを特徴とするプラズマエッチング装置であって、前記第2の高周波印加手段は、前記第1の電極に形成されるプラズマシースの厚さが厚くなるように前記第1の電極にも高周波電力を印加することを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 M