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J-GLOBAL ID:200903002229018882

半導体レーザモジュール、それを用いたファイバ増幅器と光通信システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長門 侃二 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002027333
Publication number (International publication number):2002374037
Application date: Feb. 04, 2002
Publication date: Dec. 26, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高光出力動作をし、波長安定性も優れていて、ラマン増幅用の励起光源として有用な半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】 このモジュールは、ファブリ・ペロー型半導体レーザ素子の前端面に、波長選択性を有し、かつ特定波長に対して特定のピーク反射率を示すファイバブラッググレーティングが光結合されている半導体レーザモジュールであって、半導体レーザ素子の共振器長をL(μm)、ファイバブラッググレーティングの反射帯域幅をΔλ(nm)とし、また、前記半導体レーザ素子からの発振レーザ光に対する前端面の反射率をR1(%)、ファイバブラッググレーティングのピーク反射率をR2(%)としたとき、次式:1000μm≦L≦3500μm、0.01%≦R1+c2R2≦4%(ただし、cは、半導体レーザ素子3とファイバブラッググレーティング7Aとの結合効率を表す)、および、R1/R2≦0.8が成立している。更に0.2nm≦Δλ≦3nmが成立していることを好適とする。
Claim (excerpt):
ファブリ・ペロー型半導体レーザ素子の前端面に、波長選択性を有し、かつ、特定波長に対して特定の反射率を示す光帰還部品が光結合されていて、前記半導体レーザ素子の共振器長をL(単位:μm)、前記半導体レーザ素子からの発振レーザ光に対する、前記前端面の反射率をR1(%)、前記光帰還部品のピーク反射率をR2(%)としたとき、L、R1,R2の間では、次式:1000μm≦L≦3500μm、および、0.01%≦R1+c2R2≦4%(ただし、cは、半導体レーザ素子と光帰還部品との間の結合効率を表わす)が成立していることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2):
H01S 5/14 ,  G02B 6/42
FI (2):
H01S 5/14 ,  G02B 6/42
F-Term (20):
2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037CA33 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA05 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA67 ,  5F073AA83 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073DA32 ,  5F073EA01 ,  5F073EA03 ,  5F073EA16 ,  5F073EA22 ,  5F073FA25 ,  5F073GA23
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 半導体レ-ザモジュ-ル
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-375628   Applicant:古河電気工業株式会社

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