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J-GLOBAL ID：200903002232937562

リソグラフィシミュレーション方法及びプログラム

Inventor： 佐竹 正城
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007075481
Publication number (International publication number)：2008233686
Application date： Mar. 22, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】 高精度のリソグラフィシミュレーションを簡易な方法で行うことが可能なシミュレーション方法を提供する。【解決手段】 リソグラフィシミュレーションの対象となるマスクパターンに対して、パターン寸法とパターンバイアス量との関係が規定された参照テーブルを参照してバイアス処理を施す工程S2と、バイアス処理が施されたマスクパターンの光学像を求める工程S3とを備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

リソグラフィシミュレーションの対象となるマスクパターンに対して、パターン寸法とパターンバイアス量との関係が規定された参照テーブルを参照してバイアス処理を施す工程と、 前記バイアス処理が施されたマスクパターンの光学像を求める工程と、 を備えたことを特徴とするリソグラフィシミュレーション方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (3)：

G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P ,  G03F7/20 521

F-Term (3)：

2H095BA02 ,  2H095BB01 ,  2H095BB02