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J-GLOBAL ID：200903002233091748

多結晶半導体薄膜、その形成方法、多結晶半導体TFT、およびTFT基板

Inventor： 増茂 邦雄 ,  欅田 昌也
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997254204
Publication number (International publication number)：1999087730
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】高性能の多結晶シリコン半導体TFTを形成する。【解決手段】絶縁基板上に形成されたストライプ状の多結晶半導体薄膜において、等方的結晶粒と、ストライプの長手方向にほぼ平行に配列した筋状結晶粒とが存在し、筋状結晶粒の面積が等方的結晶粒の面積より大きいことを特徴とする多結晶半導体薄膜。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたストライプ状の多結晶半導体薄膜において、等方的結晶粒と、ストライプの長手方向にほぼ平行に配列した筋状結晶粒とが存在し、筋状結晶粒の面積が等方的結晶粒の面積より大きいことを特徴とする多結晶半導体薄膜。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (8)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多結晶シリコン層の形成方法およびそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269562   Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 多結晶シリコン層の形成方法及びそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269563   Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 画像表示用の基板とその製造方法、およびTFT表示素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-174577   Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社