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J-GLOBAL ID：200903002234503675

集積型薄膜太陽電池及びその製造方法

Inventor： 島川 伸一 ,  林 茂生 ,  佐藤 ▲琢▼也 ,  根上 卓之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004355802
Publication number (International publication number)：2006165338
Application date： Dec. 08, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】 電極間の短絡を防止した上で、非発電領域を低減させることができる集積型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板(10)と、基板(10)上に順次積層された第1電極膜(11)、半導体膜(12)及び第2電極膜(13)とを含み、複数のユニットセル(20)のそれぞれは、第1分割溝(11a)により分割された第1電極膜(11)と、第2分割溝(12a)により分割された半導体膜(12)と、第3分割溝(13a)により分割された第2電極膜(13)とを含む積層体から構成されており、第1分割溝(11a)内において、少なくとも第2分割溝(12a)側に位置する側端部(111a)は、基板(10)の一部が除去されている集積型薄膜太陽電池(1)とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

直列接続された複数のユニットセルと、前記複数のユニットセルが設けられた基板とを含む集積型薄膜太陽電池であって、 前記基板上に順次積層された第1電極膜、半導体膜及び第2電極膜を含み、 前記複数のユニットセルのそれぞれは、第1分割溝により分割された前記第1電極膜と、第2分割溝により分割された前記半導体膜と、第3分割溝により分割された前記第2電極膜とを含む積層体から構成されており、 前記第1分割溝は、前記第1電極膜を貫通し、かつ前記基板の一部を除去して形成されており、 前記第2分割溝は、前記半導体膜を貫通し、かつ前記第1分割溝に沿って形成されており、 前記第3分割溝は、前記第2電極膜を貫通し、かつ前記第2分割溝に沿って形成されており、 前記第1分割溝内において、少なくとも前記第2分割溝側に位置する側端部は、前記基板の一部が除去されていることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/042

FI (3)：

H01L31/04 S ,  H01L31/04 C ,  H01L31/04 E

F-Term (7)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051CB29 ,  5F051EA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特公平4-72392号公報