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J-GLOBAL ID:200903002238290757

冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 山本 孝久 ,  吉井 正明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008205158
Publication number (International publication number):2008294000
Application date: Aug. 08, 2008
Publication date: Dec. 04, 2008
Summary:
【課題】電子放出層から放出された電子の軌道の収束性に優れ、しかも、製造が比較的容易なエッジ型の冷陰極電界電子放出素子を提供する。【解決手段】電子放出層13と、絶縁層14と、ゲート電極層15とが、この順に支持体10上に積層され、ゲート電極層15から支持体10の表面に達する開口部16が設けられ、開口部16は、ゲート電極層15に設けられた第1開口部15Aと、絶縁層14に設けられた第2開口部14Aと、電子放出層13に設けられた第3開口部13Aとから成り、第1開口部15Aと第2開口部14Aと第3開口部13Aとは連通しており、電子が放出される第3開口部13Aの開口端部の厚さは先端部に向かって減少し、且つ、第3開口部13Aの開口端部の下縁は上縁よりも後退している。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
電子放出層と、絶縁層と、ゲート電極層とが、この順に支持体上に積層され、 ゲート電極層から支持体の表面に達する開口部が設けられ、 開口部は、ゲート電極層に設けられた第1開口部と、絶縁層に設けられた第2開口部と、電子放出層に設けられた第3開口部とから成り、 第1開口部と第2開口部と第3開口部とは連通しており、 電子が放出される第3開口部の開口端部の厚さは先端部に向かって減少し、且つ、第3開口部の開口端部の下縁は上縁よりも後退していることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。
IPC (3):
H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12
FI (3):
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B ,  H01J31/12 C
F-Term (32):
5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04 ,  5C036EH23 ,  5C127AA01 ,  5C127BA08 ,  5C127BB02 ,  5C127CC03 ,  5C127CC08 ,  5C127CC35 ,  5C127DD07 ,  5C127DD53 ,  5C127DD56 ,  5C127DD57 ,  5C127EE02 ,  5C127EE05 ,  5C127EE15 ,  5C135AA08 ,  5C135AB02 ,  5C135AC04 ,  5C135AC15 ,  5C135AC18 ,  5C135AC19 ,  5C135EE13 ,  5C135HH02 ,  5C135HH05 ,  5C135HH15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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