プラズマ化学蒸着を用いてフッ化シリコン酸化物層を形成する方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996524377
Publication number (International publication number)：1997508757
Application date： Feb. 05, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】プラズマ化学蒸着によりフッ化シリコン酸化物誘電体層(33)を形成する方法が提供される。この方法は、プラズマチャンバ(10)にプラズマを形成し、シリコン含有ガス、フッ素含有ガス、酸素及び不活性ガスを導入して、これらガスがプラズマにより励起されそして基体(16)の付近で反応して、基体(16)の表面にフッ化シリコン酸化物層を形成するようにする。このように形成されたフッ化シリコン酸化物層は、シリコン酸化物層よりも低い誘電率を有する。

Claim (excerpt)：

プロセスチャンバ及びプラズマチャンバを備えたプラズマ化学蒸着装置を用いて基体の表面にフッ化シリコン酸化物層を形成する方法において、上記プロセスチャンバ内に基体を配置し、上記プラズマチャンバに不活性ガス及び酸素ガスを導入し、上記の不活性ガスは、アルゴン、ネオン、クリプトン又はキセノンより成るグループの不活性ガスの少なくとも1つから選択され、上記プラズマチャンバにrf電力を導入して、プラズマチャンバにプラズマを形成し、上記不活性ガスの導入によりプラズマの安定性を向上し、上記プロセスチャンバには上記基体の表面付近にシリコン含有ガスを導入し、そして上記チャンバの一方にフッ素含有ガスを導入して、上記基体の表面にフッ素ガスが得られるようにし、上記シリコン含有ガス及びフッ素含有ガスは、上記プラズマにより励起され、そして上記基体の表面付近で相互作用して、上記基体の表面にフッ化シリコン酸化物の層を形成する、という段階を備えたことを特徴とする方法。

IPC (6)：

H01L 21/31 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , H01L 21/316 , H01L 21/768 , H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/31 C , C23C 16/40 , C23C 16/50 , H01L 21/316 X , H05H 1/46 A , H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292107 Applicant：住友金属工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-097631 Applicant：ソニー株式会社

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