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J-GLOBAL ID:200903002249864585

サンゴ礁の造成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 武田 賢市 ,  武田 明広
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004075789
Publication number (International publication number):2005264485
Application date: Mar. 17, 2004
Publication date: Sep. 29, 2005
Summary:
【課題】 サンゴ幼生の着底率、及び、生残率が高く、サンゴを良好に定着させることができるサンゴ着底用穴を形成することによってサンゴ礁を造成する方法、及び、そのために使用するサンゴ着生基盤ブロック、コンクリートブロック、コンクリート構造物等を提供する。【解決手段】 表面に多数のサンゴ着底用穴4を有するコンクリートブロックSを、海底、又は、海中に設置することによってサンゴ礁を造成する。着底用穴3は、開口部8が形成されている面に対して垂直な方向へ向かって陥没した凹部9を有し、この凹部9は、開口部8の上縁部8aにおける深さ寸法が、0.5〜3cmに設定されていることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
表面に多数のサンゴ着底用穴を有するコンクリートブロック、又は、コンクリート構造物を、海底、又は、海中に設置することによってサンゴ礁を造成する方法であって、 前記着底用穴は、着底用穴の開口部が形成されている面に対して垂直な方向へ向かって陥没した凹部を有し、 前記開口部の上縁部における凹部の深さ寸法が、0.5〜3cmに設定されていることを特徴とするサンゴ礁の造成方法。
IPC (2):
E02B3/14 ,  A01K61/00
FI (3):
E02B3/14 301 ,  A01K61/00 313 ,  A01K61/00 321
F-Term (11):
2B003AA01 ,  2B003BB03 ,  2B003CC04 ,  2B003CC05 ,  2B003DD01 ,  2D118AA24 ,  2D118BA03 ,  2D118CA02 ,  2D118DA06 ,  2D118HA13 ,  2D118HD09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 実開昭63-50929号公報
Cited by examiner (4)
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