試料の物性評価方法及び半導体材料の物性評価装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006100163
Publication number (International publication number)：2007271553
Application date： Mar. 31, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】金属酸化物粒子又は金属硫化物粒子からなる半導体材料の物性、特に結晶欠陥量、結晶化度及び結晶型及び/又は非結晶型からなる構成成分を簡便且つ迅速に、非破壊な手段で評価し得る方法を提供すること、また、該方法の実施に使用するこれら物性の評価装置を提供すること。【解決手段】試料に励起光を照射し、該励起光の照射により発生する特定波長における発光量を測定する試料の物性評価方法であって、評価対象となる物性が既知である基準試料の特定波長における発光量を測定し、前記基準試料の物性と前記測定された発光量との対応関係を予め得ておき、評価対象となる物性が未知である被測定試料の特定波長における発光量を測定し、前記測定された被測定試料の発光量と前記基準試料について得られた対応関係とを比較することにより該被測定試料の物性を評価することを特徴とする、試料の物性評価方法。【選択図】図2A

Claim 1：

試料に励起光を照射し、該励起光の照射により発生する特定波長における発光量を測定する試料の物性評価方法であって、評価対象となる物性が既知である基準試料の特定波長における発光量を測定し、前記基準試料の物性と前記測定された発光量との対応関係を予め得ておき、評価対象となる物性が未知である被測定試料の特定波長における発光量を測定し、前記測定された被測定試料の発光量と前記基準試料について得られた対応関係とを比較することにより該被測定試料の物性を評価することを特徴とする、試料の物性評価方法。

IPC (1)：

G01N 21/64

FI (1)：

G01N21/64 Z

F-Term (17)：

2G043AA03 , 2G043CA05 , 2G043CA06 , 2G043DA08 , 2G043EA01 , 2G043FA06 , 2G043GA07 , 2G043GA08 , 2G043GB07 , 2G043GB21 , 2G043JA03 , 2G043KA01 , 2G043KA02 , 2G043KA03 , 2G043KA05 , 2G043KA09 , 2G043LA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体結晶の欠陥濃度測定方法及び半絶縁性GaAs結晶の欠陥濃度測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-258153 Applicant：住友金属鉱山株式会社
特開平1-239863
結晶性高分子の結晶構造検査法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-107151 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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