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J-GLOBAL ID：200903002261309880

高周波スイッチ回路

Inventor： 林 哲也
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992008490
Publication number (International publication number)：1993199094
Application date： Jan. 21, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【構成】 TX端子とANT端子との間にFET1を直列に設け、ANT端子とRX端子との間にFET3を直列に設ける。TX端子と接地ラインとの間には、インピーダンス整合用のFET2を直列に設ける。RX端子と接地ラインとの間には、インピーダンス整合用のFET4を直列に設ける。FET1・4とFET2・3とは、それぞれCONT1端子とCONT2端子とに印加される制御電圧でONするようになっている。また、FET1のピンチオフ電圧は、FET2〜4のピンチオフ電圧より高く設定されている。【効果】 TX端子から出力される信号が大電力であっても、FET2を安定してOFFさせることができ、FET1のピンチオフ電圧を高くしてFET1を安定してONさせることができる。それゆえ、無線機等において、低電圧動作を安定して行わせることができる。

Claim (excerpt)：

ガリウムひ素電界効果トランジスタをスイッチング素子として用い、入出力部と大電力または中電力の信号が通過する第1回路とを接離する第1スイッチング素子と、入出力部と低電力の信号が通過する第2回路とを接離する第2スイッチング素子とを備えた高周波スイッチ回路において、上記第1スイッチング素子のピンチオフ電圧が、第2スイッチング素子のピンチオフ電圧よりも高くなるように設定されていることを特徴とする高周波スイッチ回路。

IPC (2)：

H03K 17/687 ,  H03K 17/10